Pesquisadores da Universidade de Pequim revelaram um transistor GAAFET feito com oxiseleneto de bismuto (Bi₂O₂Se) capaz de operar em litografia de 3 nm ou menos.
O material 2D mostrou desempenho 40 % superior e consumo 10 % menor que semicondutores comerciais de 3 nm baseados em silício, segundo artigo publicado na revista Nature. Por aproveitar uma estrutura gate-all-around, o chip controla melhor o fluxo de corrente e supera limitações físicas do silício abaixo de 10 nm.
A combinação do bismuto com a arquitetura GAAFET também promete maior eficiência em baixas tensões e queda de performance menos acentuada em escalas sub-1 nm. Outro ponto estratégico é o domínio chinês sobre 84 % da produção global de bismuto, enquanto os EUA enfrentam escassez do metal, o que pode intensificar a corrida tecnológica entre as potências.
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Especificações e disponibilidade
• Transistor GAAFET 2D de oxiseleneto de bismuto (Bi₂O₂Se)
• Litografia-alvo: 3 nm (com potencial para sub-1 nm)
• Desempenho: +40 % vs. chips de silício de 3 nm
• Consumo energético: –10 % em igual carga
• Produção: protótipo acadêmico; escala industrial dependerá de parceria com fabricantes como SMIC ou XMC
Imagem: Internet
Não há preço estimado nem cronograma oficial de fabricação em massa. A equipe prevê novos lotes de testes ainda em 2026.
Fonte: TudoCelular